H9JCNNNBK3MLYR-N6E vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H9JCNNNBK3MLYR-N6E द्वारा SK hynix और H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix | TFBGA-315
H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H9JCNNNBK3MLYR-N6E | H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $24.37 | — |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5 SDRAM | Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM) |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 16 Gb (2 GB) |
| संगठन | 512M x 32 | 512M x 32 |
| डेटा दर | 6400 Mbps per pin | 6400 Mbps (LPDDR5-6400) |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDD1) | [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage] | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage] | — |
| पैकेज | TFBGA-315 | 315-ball TFBGA (12 x 12 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | Dual channel (x16 + x16) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +125C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Memory Technology | DRAM (volatile) | — |
| Refresh Mode | [DATA_NEEDED: refresh mode support] | — |
| On-Die Termination | [DATA_NEEDED: ODT support] | — |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank group configuration] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Bus Width | — | 16-bit |
| Channel Architecture | — | Dual-channel (per datasheet family) |
| VDD (Core Supply) | — | 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V) |
| VDDQ (I/O Supply) | — | 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V) |
| JEDEC Standard | — | JESD209-5 (LPDDR5) |
| On-die ECC | — | Yes (per LPDDR5 base spec) |