IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC100N04S6N028ATMA1 द्वारा Infineon और IAUZ40N10S5N130ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC100N04S6N028ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |