IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC100N04S6N028ATMA1 bằng Infineon và IAUZ40N10S5N130ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC100N04S6N028ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Hộp | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |