IAUCN04S7N009ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7N009ATMA1 द्वारा Infineon और BSZ110N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN04S7N009ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | Single MOSFET |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |