IAUCN04S7N009ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N009ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N009ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel Single MOSFET
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں