IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7N019GATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7N006TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7N006TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| पैकेज | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 425 A |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | — | 205 W |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | — | 0.63 mΩ |
| Technology | — | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] |
| Automotive Grade | — | Yes (Infineon automotive MOSFET line) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |