IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N006TATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7N006TATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| מארז | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 425 A |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | — | 205 W |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | — | 0.63 mΩ |
| Technology | — | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] |
| Automotive Grade | — | Yes (Infineon automotive MOSFET line) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |