IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N006TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7N006TATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Paket | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 425 A |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | — | 205 W |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | — | 0.63 mΩ |
| Technology | — | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] |
| Automotive Grade | — | Yes (Infineon automotive MOSFET line) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |