IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S5L110TATMA1 द्वारा Infineon और IAUZN10S7L289ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S5L110TATMA1 | IAUZN10S7L289ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 61 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 88 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| पैकेज | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Extended Qualification | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS-7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | — | 45 W |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | — | 28.9 mΩ |
| Automotive Grade | — | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (Tj) |
| पिन काउंट | — | 8 |
| RoHS Compliance | — | Yes |