IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından Infineon ve IAUZN10S7L289ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L110TATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level Trench MOSFET (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS-7
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 27 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) — 45 W
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) — 28.9 mΩ
Automotive Grade — AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (Tj)
Pin Sayısı — 8
RoHS Compliance — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin