IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN10S5L110TATMA1 מאת Infineon ו IAUZN10S7L289ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN10S5L110TATMA1 | IAUZN10S7L289ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 61 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 88 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| מארז | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Extended Qualification | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS-7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | — | 45 W |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | — | 28.9 mΩ |
| Automotive Grade | — | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C (Tj) |
| מספר פינים | — | 8 |
| RoHS Compliance | — | Yes |