IGD08N120S7ATMA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGD08N120S7ATMA1 द्वारा Infineon और BSS214NWH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGD08N120S7ATMA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | IGBTs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -40C to +175C (industry grade) | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | Single | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead-Free | — | Yes |