IGD08N120S7ATMA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGD08N120S7ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSS214NWH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGD08N120S7ATMA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | IGBTs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40C to +175C (industry grade) | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | Single | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead-Free | — | Yes |