IGI60L5050B1MXUMA1 vs IGI65D1414A3MSXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGI60L5050B1MXUMA1 द्वारा Infineon और IGI65D1414A3MSXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IGI60L5050B1MXUMA1 IGI60L5050B1MXUMA1 - 600V GaN Half-Bridge with Integrated Driver | Infineon

IGI60L5050B1MXUMA1 - 600V GaN Half-Bridge with Integrated Driver | Infineon

IGI60L5050B1MXUMA1 ✓ सक्रिय
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IGI65D1414A3MSXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1 - 650V CoolGaN Half-Bridge, 140mΩ QFN-32 | Infineon

IGI65D1414A3MSXUMA1 - 650V CoolGaN Half-Bridge, 140mΩ QFN-32 | Infineon

IGI65D1414A3MSXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IGI60L5050B1MXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology GaN (Gallium Nitride), enhancement-mode Enhancement-mode GaN HEMT (eMode)
Configuration Half-bridge (high-side + low-side switch with integrated gate driver) Half-Bridge (2 FETs in QFN-32, high-side + low-side)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-State Resistance (RDS(on)) per switch 500 mΩ (0.5 Ω) —
Number of GaN Switches 2 —
Gate Driver Source Current +0.29 A —
Gate Driver Sink Current -0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes (ultra-fast, low-resistance) —
Turn-on / Turn-off dV/dt Application-configurable (via gate resistor) —
पैकेज PG-TFLGA-27-2 (TFLGA-27), 6x8 mm PG-TIQFN-32-1 (QFN-32, 6x8 mm)
पिन काउंट 27 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +125 °C (junction 150 °C) —
RoHS स्थिति Compliant —
Reach Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Totem-pole PFC, LLC converters, HF SMPS, BLDC drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolGaN™ HEMT
Drain-Source Voltage (V_DS, max) — 650 V
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 140 mΩ per FET
Continuous Drain Current — 13.7 A (per Newark listing)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Total Gate Charge (Q_G, typ) — [DATA_NEEDED: Q_G total]
Output Charge (Q_OSS) — [DATA_NEEDED: Q_OSS value]
Reverse Recovery Charge (Q_RR) — 0 nC (intrinsic to GaN HEMT, no body diode recovery)
Thermal Resistance (R_thJA) — [DATA_NEEDED: R_thJA value]
Typical Applications — AC-DC chargers/adapters, totem-pole PFC, BLDC motor drives, Class-D audio, LED lighting
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Compliance — Compliant

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