IGLT65R035D2ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGLT65R035D2ATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGLT65R035D2ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 TOLT | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 47 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 154 W | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | 540 pF | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| पैकेज | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Configuration | Top-side cooled (TOLT) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Production Wafer Size | 200 mm (8 inch) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |