IGLT65R035D2ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLT65R035D2ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGLT65R035D2ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 TOLT | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 47 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 154 W | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | 540 pF | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| پیکیج | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Configuration | Top-side cooled (TOLT) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Production Wafer Size | 200 mm (8 inch) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |