IMT40R011M2HXTMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IMT40R011M2HXTMA1 द्वारा Infineon और ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IMT40R011M2HXTMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 400 V | 40 V |
| On-Resistance RDS(on), typ | 11 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (Ta, 25 °C) | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc, case) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 429 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4.5 V (typ, benchmark) | — |
| Recommended Gate Drive Voltage | 0 V to 18 V | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| पैकेज | PG-HSOF-8-2 (surface mount) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rating | 100 % avalanche tested | — |
| Body Diode | Fast body diode, low Qfr | — |
| Interconnection Technology | XT (best-in-class thermal) | — |
| Compliance | RoHS compliant (per Infineon product page) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL स्तर | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |