IMT40R011M2HXTMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IMT40R011M2HXTMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IMT40R011M2HXTMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 400 V | 40 V |
| On-Resistance RDS(on), typ | 11 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (Ta, 25 °C) | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc, case) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 429 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4.5 V (typ, benchmark) | — |
| Recommended Gate Drive Voltage | 0 V to 18 V | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| پیکیج | PG-HSOF-8-2 (surface mount) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rating | 100 % avalanche tested | — |
| Body Diode | Fast body diode, low Qfr | — |
| Interconnection Technology | XT (best-in-class thermal) | — |
| Compliance | RoHS compliant (per Infineon product page) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL لیول | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |