IMT40R011M2HXTMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IMT40R011M2HXTMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IMT40R011M2HXTMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 —
Drain-Source Voltage (VDS) 400 V 40 V
On-Resistance RDS(on), typ 11 mΩ —
Continuous Drain Current (Ta, 25 °C) 13.4 A —
Continuous Drain Current (Tc, case) 144 A —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 429 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4.5 V (typ, benchmark) —
Recommended Gate Drive Voltage 0 V to 18 V —
Technology Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Paket PG-HSOF-8-2 (surface mount) PG-TDSON-8 (source-down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100 % avalanche tested —
Body Diode Fast body diode, low Qfr —
Interconnection Technology XT (best-in-class thermal) —
Compliance RoHS compliant (per Infineon product page) —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
MSL Seviyesi — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin