IPB031N08N5ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB031N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB031N08N5ATMA1 - 80V 120A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB031N08N5ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB031N08N5ATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 167 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 3.1 mOhm (VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) | — |
| Tab Connection | Drain (electrically connected to pin) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | ROHS3 Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualified | Yes (per Arrow listing) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |