IPB031N08N5ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB031N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD046N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB031N08N5ATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 167 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 3.1 mOhm (VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) | — |
| Tab Connection | Drain (electrically connected to pin) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | ROHS3 Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualified | Yes (per Arrow listing) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |