IPB110P06LMATMA1 vs IRF4905LPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB110P06LMATMA1 द्वारा Infineon और IRF4905LPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB110P06LMATMA1 | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| पैकेज | — | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |