IPB110P06LMATMA1 vs IRF4905LPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB110P06LMATMA1 מאת Infineon ו IRF4905LPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB110P06LMATMA1 | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| מארז / Case | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| מארז | — | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |