IPB110P06LMATMA1 vs IRF4905LPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IRF4905LPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB110P06LMATMA1 IRF4905LPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (TJ) —
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Paket — TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin