IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD30N08S2L21ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB180P04P4L02ATMA2 द्वारा Infineon और IPD30N08S2L21ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ सक्रियInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-P2 | OptiMOS |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction) | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 7 (6 + tab) | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Tab Connection | Drain | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |