IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB180P04P4L02ATMA2 tarafından Infineon ve IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ AktifInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-P2 | OptiMOS |
| Transistor Türü | P-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (junction) | -55C to +175C |
| Paket | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 7 (6 + tab) | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Tab Connection | Drain | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |