IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD30N08S2L21ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB180P04P4L02ATMA2 bằng Infineon và IPD30N08S2L21ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-P2 | OptiMOS |
| Kiểu transitor | P-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction) | -55C to +175C |
| Hộp | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 7 (6 + tab) | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Tab Connection | Drain | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |