IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB60R280P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R360P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB60R280P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55C to +150C (junction) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Channel Type | — | N-Channel |