IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPC100N04S51R7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD80R280P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPC100N04S51R7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage VDS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 100 A (at TC) | — |
| Pulsed Drain Current IDM | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation PD | 115 W (at TC) | — |
| Thermal Resistance RthJC | 1.3 K/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (260 °C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |