IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC100N04S51R7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPC100N04S51R7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage VDS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 100 A (at TC) | — |
| Pulsed Drain Current IDM | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation PD | 115 W (at TC) | — |
| Thermal Resistance RthJC | 1.3 K/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (260 °C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |