IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC100N04S51R7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC100N04S51R7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55C to +150C
Paket PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260 °C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Product Family — CoolMOS P7
Technology — Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
ESD Protection — Integrated (per datasheet)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin