IPD046N08N5ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPD90N04S403ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD046N08N5ATMA1 | IPD90N04S403ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (peak reflow up to 260C) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 90 A |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | — | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 94 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| पैकेज | — | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche-tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Package) |