IPD046N08N5ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD046N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD90N04S403ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD046N08N5ATMA1 | IPD90N04S403ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) |
| RoHS اسٹیٹس | ROHS3 Compliant | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (peak reflow up to 260C) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 90 A |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | — | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 94 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| پیکیج | — | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche-tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Package) |