IPD046N08N5ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और ISC016N08NM8ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ सक्रिय
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ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD046N08N5ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V OptiMOS 8
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 °C to +175 °C —
पैकेज / केस PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
RoHS स्थिति ROHS3 Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +150 C (junction)
पैकेज — SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)

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