IPD046N08N5ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD046N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC016N08NM8ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD046N08N5ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V OptiMOS 8
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
RoHS اسٹیٹس ROHS3 Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
پیکیج — SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں