IPD50N03S4L06ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50N03S4L06ATMA1 द्वारा Infineon और IPD90N04S403ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50N03S4L06ATMA1 | IPD90N04S403ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 50 A | 90 A |
| On-State Resistance (R_DS(on) max) | 5.5 mOhm at V_GS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | 2.2 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 31 nC at V_GS = 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 2.33 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 600 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 34 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 56 W at Tc = 25 C | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | MSL1 (peak reflow up to 260C) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Package) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | — | 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 94 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche-tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Package) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS-T2) |