IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD80R1K4P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD70R1K4P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD70R1K4P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | N-Channel Superjunction | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| पावर डिसिपेशन (Ptot) | 32 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | Yes (100% avalanche tested) |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Part Family | — | CoolMOS P7 (700V Superjunction) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | — | 1.4 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 23 W |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |