IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD70R1K4P7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD70R1K4P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | N-Channel Superjunction | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Güç Tüketimi (Ptot) | 32 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | Yes (100% avalanche tested) |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Part Family | — | CoolMOS P7 (700V Superjunction) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | — | 1.4 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 23 W |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |