IPG20N10S436AATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N10S436AATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N04S6L039ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon
IPG20N10S436AATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N10S436AATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| MSL स्तर | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |