IPG20N10S436AATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S436AATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L039ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N10S436AATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |