IPG20N10S436AATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPG20N10S436AATMA1 bằng Infineon và IAUC60N04S6L039ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPG20N10S436AATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Hộp PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
Cấp MSL MSL1 (260 C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Trạng thái RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá