IPG20N10S436AATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N10S436AATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L039ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N10S436AATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| MSL لیول | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |