IPG20N10S436AATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N10S436AATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L039ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPG20N10S436AATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| سطح MSL | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |