IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R115CFD7AUMA1 द्वारा Infineon और IPL60R105P7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPL60R115CFD7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPL60R115CFD7AUMA1 | — |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 115 mOhm (typ, VGS=10V) | — |
| पैकेज / केस | PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Integrated Body Diode | Yes - fast body diode (CFD) | — |
| Application | Resonant high-power topologies (LLC, PFC) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| पिन काउंट | 4 | — |
| Quantity per Reel | [DATA_NEEDED: reel qty] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| पैकेज | — | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |