IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R115CFD7AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPL60R115CFD7AUMA1 —
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 22 A —
On-Resistance (RDS(on)) 115 mOhm (typ, VGS=10V) —
Paket / Kas PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Integrated Body Diode Yes - fast body diode (CFD) —
Application Resonant high-power topologies (LLC, PFC) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
RoHS Durumu Compliant (per distributor listings) Compliant
Pin Sayısı 4 —
Quantity per Reel [DATA_NEEDED: reel qty] —
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Paket — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Klorürsüz — Yes
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin