IPTC039N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPTC039N15NM5ATMA1 द्वारा Infineon और IQE220N15NM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPTC039N15NM5ATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 190 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 319 W | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.9 mOhm | — |
| Gate Charge Qg typical | 74 nC | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +175 C (junction) | — |
| पैकेज | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5, Source-Down |
| Cooling | Top-side cooled (case above PCB) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |