IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R065C7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPW60R037P7XKSA1 द्वारा Infineon और IPL60R065C7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPW60R037P7XKSA1 | IPL60R065C7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 | CoolMOS C7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| पैकेज | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | — |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant with Exemption |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Process Technology | — | CoolMOS C7 (Superjunction) |
| Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 29 A |
| On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) | — | 65 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) | — | 180 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS, max) | — | ±20 V |
| Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) | — | 3.5 V |
| पैकेज / केस | — | PG-VSON-4-1 (Source-Down) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +150 °C (T_J) |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | No |
| Total Gate Charge (Q_G, typ.) | — | [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] |
| Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) | — | [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] |