IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R065C7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R037P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R065C7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R037P7XKSA1 IPL60R065C7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS C7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) —
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant with Exemption
Avalanche Rated Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
پیکیج / کیس — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (T_J)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں