IPW60R037P7XKSA1 vs IPL60R065C7AUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPW60R037P7XKSA1 מאת Infineon ו IPL60R065C7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPW60R037P7XKSA1 | IPL60R065C7AUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 | CoolMOS C7 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| מארז | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | — |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant with Exemption |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Process Technology | — | CoolMOS C7 (Superjunction) |
| Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 29 A |
| On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) | — | 65 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) | — | 180 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS, max) | — | ±20 V |
| Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) | — | 3.5 V |
| מארז / Case | — | PG-VSON-4-1 (Source-Down) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +150 °C (T_J) |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | No |
| Total Gate Charge (Q_G, typ.) | — | [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] |
| Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) | — | [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] |