IPW60R041C6FKSA1 vs IRFP2907PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPW60R041C6FKSA1 द्वारा Infineon और IRFP2907PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFP2907PBF IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPW60R041C6FKSA1 IRFP2907PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C —
पैकेज PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
माउंटिंग प्रकार Through Hole —
MSL स्तर Not Applicable (Through-hole) —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
पिन काउंट — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

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